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單晶硅片

［ 作者：佚名    點擊數：1792    日期：2012年6月11日 ］

單晶制備方法	CZ
導電類型	P
摻雜劑	Boron(B)
晶向	<100>
晶向偏離度	<±3°
電阻率范圍（ρ）	0.5-2Ω·cm或3-6Ω·cm
少數截流子壽命(τd)	>10µS
氧含量(OI)	≤1.0*1018/cm3
碳含量©	≤5.0*1016/cm3
位錯密度（Nd）	≤3000/cm2
硅片尺寸	156*156±0.5mm
硅片直徑	203mm±0.5
厚度	其他
總厚度變化	<50µm