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單晶硅片

［ 作者：佚名    點擊數：2053    日期：2012年6月11日 ］

規格(尺寸)	125×125
導電類型	P型,摻雜 P type
晶向	<100>±3°
電阻率范圍(歐母·厘米)	0．5~3 Ω.cm
少子壽命 (μs)	≥10
氧含量(atoms/cm3)	≤1.0×1018
碳含量(atoms/cm3)	≤5×1016
位錯密度(個/cm2)	≤3000
晶體硅片邊長(mm)	125×125±0.5
對角線(mm)	150±0.5
厚度值(μm)	200±20
厚度差異(μm)	≤30
彎曲度(μm)	�。�50
外觀狀況	清潔,無污,無指紋,無凹坑,無孔洞